Импланты германия: Немецкие импланты зубов в Москве – цена на импланты Германия, стоимость, отзывы — Торговый Дом «Аюрведа»

Имплант

Импланты германия: Немецкие импланты зубов в Москве – цена на импланты Германия, стоимость, отзывы

Содержание

преимущества, цены на установку имплантатов Анкилос в СПб

В современной стоматологии используется большое количество имплантационных систем. Все они имеют свои преимущества, но не каждая смогла зарекомендовать себя на международном рынке. Импланты Ankylos существуют уже больше 30 лет и успели доказать свою эффективность, получить хорошие отзывы и высокую оценку опытных специалистов клиник Германии и других стран Европы.

Что такое имплантат?

Немецкие импланты Ankylos – являются цилиндрическими, а не пластиночными. Представляют собой искусственный корень, который устанавливается в челюсть. Сверху на них монтируется коронка или выбранный вариант съемного протеза.

Изготавливаются импланты из титана. Этот металл хорошо проявил себя в различны медицинских, а не только в стоматологических, конструкциях и может использоваться у пациентов, склонных к аллергическим реакциям. Биосовместимость материала составляет 100%.

Достоинства имплантов Ankylos

Имплантация Анкилос имеет ряд неоспоримых преимуществ:

Их можно использовать для восстановления как одного недостающего зуба, так и нескольких.
Благодаря немецким технологиям широко применяется установка имплантов одновременно с удалением зубов.
Особенности дизайна имплантата и протокол установки позволяют предотвратить травмирование костной ткани и попадание микроорганизмов.
Структура имплантата, его наружного слоя, схожа со структурой кости и обеспечивает легкое приживление.
Имплантат погружается ниже уровня костной ткани и, соответственно, десны, что существенно повышает эстетику конструкции.
Абатменты, или переходники от имплантата к коронке, являются универсальными. Благодаря этому их можно использовать и на верхней, и на нижней челюстях не зависимо от размеров имплантата.

Конусное соединение между имплантатом и абатментом позволяет ему быть естественным продолжением имплантата, гарантирует стабильность конструкции при фиксации, невозможность проникновения инфекции внутрь имплантата и, как следствие, его долговечность в качестве опоры.
Большое разнообразие элементов для протезирования позволяет реализовать его разные варианты: от простых креплений для съемных протезов до полного несъемного протезирования на абсолютно беззубой челюсти.
Стоимость этой системы невысока относительно других имплантов премиум сегмента, за счет давних дружеских отношений между нашим стоматологическим центром и компанией-производителем.

Оптимальное соотношение цены и качества помогли Анкилозу стать одним из лидеров на рынке современных имплантационных систем, применяемых в Санкт-Петербурге.

Мы выбрали именно эту систему потому, что хотим добиться идеального для Вас результата в минимально короткие сроки.

Разновидности имплантов

Линейка имплантатов Ankylos включает в себя разные размеры: длины от 6,6 мм до 17 мм и диаметры от 3,5 мм (характерная ширина зуба для большинства жителей Европы) до 7,0 мм (свойственна жителям Африки).

Импланты линейки Ankylos С\Х пришли на смену ранее существовавшей системе Ankilos Plus, которая характеризовалась только коническим соединением импланта и абатмента.

Зубные импланты Анкилос С\Х наряду с коническим соединением обладают внутренним шестигранником. Он позволяет точно позиционировать одиночные конструкции и увеличивает силу сцепления имплантата с абатментом.

Особенности установки

Особенности операции по установке Анкилоз:

неагрессивное воздействие на кость во время установки, что обеспечивается инновационностью соединения с ней системы Анкилоз. Это облегчает приживление имплантата Ankylos даже в слишком мягкой кости, такой как у диабетиков и курильщиков.

постоянное охлаждение инструментов в процессе работы, которое подаётся сквозь работающий инструмент на его верхушку, а не за счет поливания места имплантации охлаждающей жидкостью. Это уменьшает риск развития некроза кости.

Зубные импланты в Германии

Одной из наиболее развитых медицинских отраслей в Германии является стоматология. Несмотря на то что услуги немецких стоматологов – относительно дорогие, тысячи пациентов обращаются за помощью к местным специалистам, поскольку понимают, что за эти деньги получают высочайшее качество выполненной работы.

Имплантация зубов в Германии пользуется сегодня большим спросом. Зубные имплантаты, установленные в немецких клиниках, служат долгие годы и не причиняют человеку никакого дискомфорта. Благодаря современным разработкам в области имплантологии, стоматологи Германии с успехом справляются с любыми сложностями. В своей работе немецкие специалисты применяют новейшие визуализационные компьютерные технологии. Оперативные вмешательства при имплантации зубов проходят без боли. При этом в большинстве случаев используется местная анестезия.

Материалы для зубных имплантатов
Зубные имплантаты в Германии выполнены из качественных титановых сплавов, что обеспечивает великолепную приживаемость и биосовместимость с тканями человеческого организма. Титановые изделия достаточно прочно сидят на челюсти, практически не уступая по характеристикам настоящему корню зуба. При этом сам протез делают из высокопрочной керамики или сплавов с цирконием. Все используемые материалы для имплантации зубов в немецких стоматологических учреждениях имеют достаточно большой срок службы, они не вызывают аллергический реакций, а реставрация придает зубам естественный вид.

Показания и противопоказания к имплантации
Существуют следующие показания к проведению имплантации зубов в клиниках Германии:
Отсутствие зуба. Врачи не рекомендуют затягивать с имплантацией и проводить ее уже в том случае, когда пациент потерял первый зуб. В этом есть огромные преимущества, поскольку в таком случае не нужно удалять нервы соседних зубов и обтачивать их для установки зубных коронок.

Отсутствие нескольких зубов. Если отсутствуют несколько зубов, устанавливается имплантат, на который можно закрепить прочную мостовидную конструкцию.

Полное отсутствие зубов. Имплантация поможет восстановить зубной ряд и при полном отсутствии зубов. Эта процедура – достаточно длительная и трудоемкая, но она, безусловно, стоит того.

Наличие зубных дефектов. В частности, опасность представляют концевые дефекты, когда у пациента нет последних зубов в ряду. В таком случае начинается постепенное разрушение костной ткани, и остановить этот деструктивный процесс может имплантация.

Наличие нарушений в строении нижней или верхней челюсти.

К противопоказаниям имплантации зубов можно отнести следующие обстоятельства:
Если у пациента имеется аллергия на анестезию (или ему невозможно провести обезболивание по другим причинам).

Наличие проблем со свертываемостью крови. В таком случае хирургические операции, в том числе и по имплантации зубов, противопоказаны либо проводятся после предварительного лечения и с применением дополнительных мер по безопасности пациента.

Сахарный диабет первого типа.

Серьезные патологии иммунной системы.

Некоторые заболевания ротовой полости.

Злокачественные новообразования.

Разновидности имплантатов
Имплантация зубов в Германии может производиться с применением разных видов имплантатов. В настоящее время различают следующие разновидности изделий:
Корневидные – имеют вид цилиндра с резьбой. Их целесообразно устанавливать в том случае, когда у пациента имеется достаточный объем костной массы для установки. Если размер кости не позволяет этого сделать, то предварительно проводят ее наращивание, после этого приступают к имплантации.

Пластиночные. Применяются в том случае, когда кость слишком узкая. Их можно устанавливать на достаточно большую глубину. Такие имплантаты обычно применяют, когда по тем или иным причинам пациенту противопоказаны корневидные.

Комбинированные. Сочетают в себе характеристики корневидных и пластиночных изделий В ряде случаев имеют очень сложную форму, что увеличивает их устойчивость.

Поднакостничные. Такие имплантаты зубов в Германии применяются в случае значительного истончения кости челюсти. Поднакостничный имплантат занимает достаточно большую площадь в кости, что делает его очень устойчивым.

Внутрислизистые. Могут не устанавливаться в костную ткань. Они используются для стабилизации как частичных, так и полных зубных протезов.

Другие виды изделий.

Как проходит имплантация зубов в клиниках Германии
Перед имплантацией зубов пациент в обязательном порядке проходит медицинское обследование у стоматолога и врача-имплантолога, которые оценивают состояние ротовой полости, параметры челюсти и другие особенности, необходимые для проведения грамотной процедуры по имплантации. Диагностика предполагает проведение рентгенографии челюсти, компьютерной томографии и других видов инструментальной диагностики, которые позволят рассчитать точный угол наклоны штифтов, глубину посадки и вид имплантата, который лучше всего подойдет пациенту.

После проведения всех диагностических процедур приступают непосредственно к имплантации. Все процедуры проходят под местной анестезией (очень редко под общей). Для установки имплантата предварительно сверлится челюстная кость. В образованную ямку вводят имплантат, после чего пациенту накладывают швы. Необходимо несколько месяцев для полной интеграции имплантата в челюстную кость, и только после этого можно приступать к дальнейшим процедурам – установке коронки и окончательному оформлению зубного имплантата.

Эстетическая стоматология в Германии в настоящее время предлагает несколько вариантов имплантации, в том числе и так называемую безоперационную, которая проводится с минимальными надрезами. Такой метод подходит для пациентов, у которых имеется достаточное количество костной ткани.
Цены на имплантацию зубов в Германии
Точная стоимость имплантации зубов в Германии оглашается пациенту после проведения всех диагностических мероприятий, которые покажут, каков объем вмешательства необходим для установки имплантатов. Например, имплантация и протезирование зубов в Германии с предварительной процедурой наращивания кости обойдется дороже.
Средняя стоимость установки одного имплантата в клиниках Германии составляет от 800 до 2000 долларов США. Подробнее о ценах и условиях лечения в стоматологических клиниках Германии можно узнать у консультантов Хоспитал Букинг.
Ионная имплантация кремния и германия при комнатной температуре.
Анализ с помощью рассеяния ионов гелия с энергией 1,0 МэВ
Цитируется по
1. Уменьшение теплопроводности облученного кремния, обусловленное повреждением смещения
2. Хороший поверхностный переход Ge n+/p, полученный с помощью плазмы иммерсионная ионная имплантация
3. Морфологическая модификация наностолбиков Si под действием ионного облучения при повышенных температурах: пластическая деформация и контролируемое утонение до 10 нм
4. Встроенный щелевой кольцевой резонатор среднего ИК-диапазона для встроенных датчиков
5. Влияние температуры и ориентации поверхности на поведение атомов гелия при миграции вблизи титановых поверхностей
6. Структурные и химические изменения волокон целлюлозы при имплантации низкоэнергетическими ионами
7. Кремниевая плазмоника в среднем инфракрасном диапазоне с использованием платформы кремний-изолятор-кремний
8. Оптимальные параметры процесса спин-он-допирования германия фосфором
9. Твердофазная эпитаксия с затравкой атомно-слоевого осаждения оксида алюминия
10. 50 лет ионного каналирования в материаловедении Подложки /Si(100) с использованием постотжига RPCVD на месте
12. Плазмонные волноводы в среднем инфракрасном диапазоне с использованием кремний-изолятор-кремний
13. Твердофазная эпитаксия
1000950006 Дефектный твердофазный эпитаксиальный рост Si
15. Безмасочный наноимплант 20 кэВ Ga+ в объемных подложках Si(100)
16. Рост тонких пленок
06 Физические свойства 06. Тонкие пленки легированного кремния, полученные методами низкотемпературной Smart Cut и твердофазной эпитаксии
18. Твердофазная эпитаксия нелегированного аморфного кремния методом постотжига in situ
19. Твердофазная эпитаксия пленок аморфного кремния in situ постотжиг с использованием RPCVD
20. Микрорамановский анализ и анализ сопротивления растеканию имплантированного германия со скошенной кромкой для переноса слоев
21. Исследование предотвращения сегрегации атомов эрбия на поверхности кремния путем отжига в атмосфере кислорода при высокой температуре
220005 Водород в аморфных Si и Ge при твердофазной эпитаксии
23. Имплантационное повреждение в Ge: профили деформации и неупорядоченности при накоплении и восстановлении дефектов
24. Напряженный разнонаправленный твердофазный эпитаксиальный рост Si
25. Развитие имплантационного повреждения при последующем ионном облучении: Влияние типа повреждения
26. Развитие бездислокационного кремния слои
27. Твердофазный эпитаксиальный рост ионно-имплантированного кремния под напряжением
28. Оптическое исследование Ni-индуцированной кристаллизации тонких пленок a-Si
29. Обработка и контроль дефектов в передовых технологиях Ge
30. Конкуренция между накоплением повреждений и динамическим отжигом при ионной имплантации в Ge
31. Кинетика твердофазной эпитаксии аморфного Si Ионная имплантация в кремний с нанополостями
32. Ионная имплантация в поверхностный переход в Ge и связанный с этим контроль дефектов
33. Механизм прямого электролитического восстановления твердого SiO[sub 2] в Si в расплавленном CaCl[sub 2]
34. Прямое электролитическое восстановление твердого диоксида кремния в расплаве LiCl–KCl–CaCl[sub 2] при 773 K
35. Ионно-лучевая аморфизация и рекристаллизация кремния
7
твердофазной эпитаксии, усиленной мышьяком, в кремнии

37. Твердофазная эпитаксия
38. Улучшенное профилирование по глубине с помощью медленных позитронов повреждений кремния, вызванных ионной имплантацией
39. Дефекты кремния, вызванные имплантацией ионов гелия, зондированные позитронами переменной энергии
40. Инженерия дефектов и примесей в имплантированном кремнии
41. Кристаллизация мелких частиц кремния из монооксида кремния
2,0000 40 0 Электрическая активация имплантированных монокристаллических германиевых подложек
43. Зависимость радиационного повреждения кремния от времени выдержки
44. Электронно-индуцированный повторный рост изолированных аморфных зон в GaAs
45. Кристаллизация изолированных аморфных зон в полупроводниковых материалах.
46. Кристаллизация изолированных аморфных зон в полупроводниковых материалах. фазовые переходы

48. Индуцированный электронным пучком повторный рост ионных имплантационных повреждений в Si и Ge
49. Зарождение кристаллических зерен в аморфном кремнии
50. Профили пробега и расположение решетки МэВ-имплантата Sb в Si (100)
51. Дефекты в кремнии после В+ имплантация: исследование с использованием метода позитронного пучка, резерфордовского обратного рассеяния, вторичной нейтральной масс-спектроскопии и спектроскопии инфракрасного поглощения
52. Характеристика дефектов в Si, имплантированном собственными ионами, с использованием спектроскопии аннигиляции позитронов и спектроскопии обратного резерфордовского рассеяния
53. Дефекты, связанные с кислородом, в Si, изученные с помощью позитронной аннигиляционной спектроскопии с переменной энергией
54. Кинетические исследования наноразмерной кристаллизации в электронных материалах
55. Аморфизация во время возвышенной температурной имплантации
565 5555. . Каналирование повреждений в титанилфосфате калия, индуцированных ионным облучением
57. Твердофазное эпитаксиальное восстановление скрытых слоев аморфного кремния, полученных ионным облучением
58. Стабильность каскадов при ионном и электронном облучении в германии
59. Силицидообразование и опосредованная силицидами кристаллизация тонких пленок аморфного кремния, имплантированных никелем
60. -энергетическая бомбардировка Ar+: Si(111) и Ge(100)
61. Имплантация ионов фосфора и мышьяка в германий
62. Размышления и воспоминания из ранней истории RBS, NRA и ченнелинга
63. Индуцированное ионным пучком повреждение кремния, изученное с использованием позитронов с переменной энергией, резерфордовского обратного рассеяния и инфракрасного поглощения
64. Образование дефектов в Si(100) при 19 Ф, 28 Си, 40 Ар, и 131 Имплантация Xe при комнатной температуре
65. Феноменологическая модель ионно-индуцированной кристаллизации и аморфизации
66. Образование дефектов и отжиг в самоимплантированном Si
67. Ионно-лучевая эпитаксиальная кристаллизация и аморфизация в кремнии
68. МэВ, температура самоионной имплантации в жидком азоте в Si ; исследование морфологии повреждения и его аномального поведения при отжиге
69. Оже-излучение аргона из аморфного и кристаллического кремния: сравнение эксперимента и моделирования
70. Ионно-лучевая эпитаксиальная кристаллизация и аморфизация в кремнии
71. Накопление повреждений и отжиг в кремнии, облученном ионами 73. Двухстадийное восстановление повреждений решетки кремния, вызванных ионной имплантацией ниже порога аморфизации. Анализ с помощью моделирования рентгеновских кривых качания0007
75. Зарождение и отжиг повреждений в MEV-имплантированном Si
76. ТЭМ исследования средних доз Kr+-имплантированный кремний
9000. Диффузионное поведение имплантированного железа в плавном силика. 78. Кинетика твердофазной кристаллизации в аморфном кремнии
79. Компьютерное моделирование процессов повреждения при ионной имплантации
80. Глубинный анализ фтора методом резерфордовского обратного рассеяния
81. Дефектные структуры и электрическое поведение быстро термически отожженного ионно-имплантированного кремния
82. Создание и отжиг повреждений тяжелыми ионами в кремнии 295 K
84. Lattice positions of implanted ions in silicon crystals
85. Amorphization and Crystallization of Semiconductors
86. Low Energy Oxygen Ion Implantation and Ion-Bombardment Induced Oxidation of Silicon, Studied by SIMS , AES и XPS
87. Процессы твердофазной рекристаллизации в кремнии
88. Перераспределение As во время Pd 2
89. Анализ кремния, имплантированного ионами мышьяка и фосфора, методом спектроскопической эллипсометрии
90. Экспериментальное исследование аморфных фаз полупроводников группы IV с помощью мессбауэровского зонда 119mSn5
7
Уменьшение кристаллических дефектов в SOS при комнатной температуре Имплантация ионов Si
92. Дефекты в аморфном кремнии
93. Определение радиационных повреждений в имплантированном мышьяком кремнии путем профилирования скорости роста оксида
95. Ионно-индуцированные дефекты в полупроводниках
96. Исследованы характеристики отжига кремния, имплантированного мышьяком, при низких температурах
97. Аморфный кристаллический переход в ионных имплантированных полупроводниках
98. Профили концентрации диффузных легированных вон в кремния
9. Каскад с высокой плотностью.
101. Профили деформации кремния, легированного ионами, полученные из рентгеновских кривых качания
102. Новый метод наблюдения превращения аморфного состояния в кристаллическое в тонких поверхностных слоях кремниевых пластин
103. Влияние отжига на распространение в ионо-имплантированных пузырьковых устройствах
104. Каскады столкновения в силиконе
105. Отжиг тяжелого ионного повреждения в Силиконе
9000 10666666666666666666666666666666666. Флюенс-зависимость профилей глубины беспорядка в имплантированном Pb Si
107. Радиогенные примесные дефекты Sn в германии
108. Электрические свойства Si, имплантированного As через SiO 2 фильмы
109. Формирование и влияние вторичных дефектов в кремнии, имплантированном ионами + имплантации в Si
112. Высокочистые германиевые детекторы с обоими контактами, выполненными методом ионной имплантации
113. Характеристика 31 п + имплантированные слои кремния методом эллипсометрии
114. Эффекты отжига импульсным рубиновым лазером на кремнии, имплантированном As и Sb
115. Эллипсометрическое исследование кремния, имплантированного ионами бора в малых дозах GaAs 0,6 п 0.4
117. О синтезе А -15’’Nb 3 Si’’ методом ионной имплантации
118. Ионная имплантация в Halbleiter
119. Влияние ионной имплантации на упрочнение подложки и снижение напряжения в пленке и их влияние на выход биполярных транзисторов
120. отжиг аморфного кремния, сформированного с помощью ионной имплантации
121. Сравнительное наблюдение ионного смещения в измельченных частицах PbF2 β и CaF2 при диффузии Резерфорда
122. Литература
123. Миграция ионо -имплантированного криптона в кремнии во время отжига
124. О природе дислокационных петли в As -Umplanted и Postannealed Si Wafers
9000 125. 6666666666666666666666666666666666666666. 66666. изолирующие свойства межфазного слоя между аморфным и кристаллическим кремнием, бомбардированным ионами
126. Переупорядочение решетки в кристаллах Ge, имплантированных Pb
127. Измерение концентрации свободных носителей заряда и положения примеси в боре по комбинационному рассеянию имплантированный силикон
128. Рассеяние He с энергией 2 МэВ + in amorphous germanium
129. Channeling effect measurements of arsenic implants in silicon
130. Chemical trapping and crystalline amorphous transition accompanying energetic proton and deuteron bombardment of silicon and germanium
131. Kinetics of recrystallization in ion -имплантированные слои кремния
132. Азот в качестве примеси в кремнии и германии
133. Эллипсометрическое исследование кремния, имплантированного теллуром
134. Ионная имплантация и каналирование
135. Он+ а также Н+ частиц из ультратонких пленок в диапазоне энергий 50-100 кэВ
136. Измерения эффекта Шанелинга при рекристаллизации слоев аморфного Si на кристаллическом Si
137. Экспериментальный метод измерения профилей концентрации атомов и носителей в одном и том же образце ионно-имплантированных слоев кремния методом радиоактивно-ионной имплантации
138. Оптимизация геометрии резерфордовского обратного рассеяния для повышения разрешения по глубине
139. Деканалирование и изменение распределения частиц, вызванное дефектами решетки
140. Влияние имплантированной дозы на рекристаллизацию аморфного слоя Si
141. Ионная имплантация в полупроводники
142. Аннигиляция позитронов в облученных нейтронами п -тип Ge
143. Влияние температуры на измельчение кремния и германия
144. Влияние ионной бомбардировки на структуру би 2 О 3 , мычание 3 , тео 2 , и v 2 о 5
145. Исследование поведения высокодозных имплантатов в кристаллах кремния и германия при отжиге
146. Исследование радиационных повреждений в кремнии методом обратного рассеяния
147. Эмпирическое определение случайного фракционного беспорядка канал
148. Решеточная локализация примесей в металлах и полупроводниках
149. Исследования обратного рассеяния и ЭПР в сильно поврежденном слое
150. Генерация нотонов в твердых телах при бомбардировке энергичными ионами и соотношения распределения энергии
151. Восстановление слоев кремния, поврежденных бомбардировкой низкоэнергетическими ионами по результатам изучения профиля оптической отражательной способности
153. Влияние дефектов решетки на деканалирование и распределение каналированных частиц
154. Исследования ионного каналирования и оптического поглощения нарушений имплантации в германии
155. Рамановское исследование колебательных свойств имплантированного кремния
156. Z примеси в среде Z мишени с помощью ионно-индуцированного рентгеновского излучения. II. Имплантаты фосфора и серы в монокристаллах германия
157. Альфа-спектрометрия
158. Экспериментальные данные о деканалировании и тормозной способности каналов
159. О формировании аморфного слоя в кремнии при ионной имплантации
160. Каналирование и связанные с ним эффекты при движении заряженных частиц через кристаллы
162. Электрические свойства легированных фосфором слоев кремния, полученных методом ионной имплантации через пассивирующий оксид
163. Неупорядоченный отжиг в полупроводниках AIIIBV после ионной имплантации при низких температурах
164. О повреждении монокристаллов GaP бомбардировкой ионами Te
165. Некоторые новые аспекты оценки профилей беспорядка в кремнии методом обратного рассеяния остаточного беспорядка бомбардировки и местоположения атома
167. Использование кривых растворения для определения глубины аморфизации и диапазонов повреждения в кремнии
168. Решетчатый беспорядок в Br, Cl и F, имплантированном CdS — исследование каналирования
169. Решетчатая локализация примесей с малым Z в мишенях со средним Z с использованием ионно-индуцированного рентгеновского излучения
170. Компьютерная оценка профилей первичной энергии осаждения в ионно-имплантированном кремнии в условиях каналирования
1 701005 Исследование отжига ионно-имплантированного кремния фотоэлектромагнитным методом
172. Определение профилей беспорядка решетки в кристаллах методом обратного ядерного рассеяния
173. Исследования повреждения протонов и быстрых нейтронов в Si и Ge с использованием каналирования
174. Опытное количество фосфора в ионо -имплантированном кремнеоне
175. Универсальный гониометр для экспериментов по каналу
176. . ZnO методом однонаправленного каналирования и блокировки
178. Исследование образования и удаления радиационных дефектов в Ge методом вторичной электронной эмиссии
179. Анализ обратно рассеянных ионов как метод исследования поверхностей
180. Легирование полупроводников методом ионной имплантации
181. Электрическая и электронная микроскопия дефектов в ионно-имплантированном кремнии 9 0007 9 0007 182. Повреждение кремния ионным облучением в просвечивающем электронном микроскопе
183. Исследования газовыделения кремния, имплантированного низкоэнергетическим He + и Кр + ионы
184. Остаточные электрически активные дефекты после переупорядочения решетки в ионо -имплантируемом кремнеоне
185. Дефекты в кремнеоне: концепции и корреляции
186. Пространственное распределение энергии, откладываемые на Energitic Heavy Ions in Semicondontoctors
7777777777 годы
70007 70007 70007 70007 70007 70007 70007 70007 70007 70007 70007. 187. Ионный имплантационный беспорядок в решетке
188. Беспорядок в имплантированных полупроводниках: энергетическая зависимость и глубина проникновения
189. Эпитаксиальный кремний, легированный галлием
190. Зависимость от потока и флюенса беспорядка, возникающего при имплантации 11 B в кремнии
191. Отжиг повреждений в арсениде галлия, имплантированных ионами
192. Об отжиге повреждений, полученных при имплантации ионов бора монокристаллов кремния
194. Эффекты имплантации тонких слоев алюминиевой металлизации на кремнии
195. Аморфизация кристаллов кремния при бомбардировке ионами фосфора с энергией 30 кэВ при различных температурах
Влияние различных радиационных параметров GaP
197. Имплантированные бором контакты на высокочистом германии
198. Наличие глубоких уровней в кремнии, имплантированном каналированными ионами фосфора низкой энергии
199. Анализ имплантации Rb и Cs в кремний с помощью измерения каналирования и эффекта Холла
202. Kernphysikalische Methoden in der Festkörperforschung
203. Рассеяние ионного пучка в кристаллографии
204. Взаимодействие между атомами B и дефектами, полученными в результате бомбардировки HG в кремнеоне
205. Схемы выброса атома с (100) GE
206. Чантовое исследование Boron -Implanted Silicon
555. . 207. Измерения эффекта Холла на кремнии, имплантированном Sb и Ga; Поведение при отжиге и сравнение с другими видами
208. Отжиг электрически активных дефектов в нейтронах и в поврежденном ионами Si
209. Радиационное повреждение имплантированными ионами в GaAs и GaP
210. Об эффективности дислокационных петель как мест адсорбции имплантированных ионов
211. 40 0 0 0 212. Распределение повреждений, вызванных ионной имплантацией кремния при комнатной температуре
213. Epr имплантатов V группы замещения в силконе
214. Эффекты диффузии в ионно-имплантированном германии
215. Модель для интерпретации измерений формирования беспорядка, вызванного бомбардировкой (Исследования беспорядка, вызванного бомбардировкой, IV)
216. Энергетическая зависимость и распределение решетки по глубине беспорядок в ионно-имплантированном кремнии
217. Доказательства движения вакансий в низкотемпературном ионно-имплантированном кремнии
218. Литература
219. Диффузия в ионно-имплантированных твердых телах с неоднородными параметрами диффузии
220. Модель образования аморфного Si при ионной бомбардировке
221. Разупорядочение решетки в германии при бомбардировке ионами бора 205 206
7
Пространственное распределение энергии, вкладываемой в атомные процессы в ионно-имплантированном кремнии
223. О формировании ионно-бомбардировочного беспорядка в цирконе, корунде и алмазе (исследования ионно-бомбардировочного беспорядка — II)
224. Индуцированные ионной бомбардировкой фазовые превращения и подвижность инертного газа в полупроводниках Ge, Si и GaAs
225. Низкоэнергетические имплантаты бора и фосфора в кремнии (a) измерения электрического листа
2006. Исследования разрушения решетки кремния горячими электронами, создаваемого имплантацией протонов с энергией 2,8 МэВ
227. имплантация Bi в GaP. II. Канальные исследования
228. Картины выброса распыленных атомов из Ge
229. Низкоэнергетические имплантаты бора и фосфора в кремнии (b) профили легирования
230. Имплантация Hg ION в кремний: Созданный решеточный беспорядок и расположение атомов hg в решетке
231. Элементы III и V, имплантированные в Ge
232. Электрическая активность фосфора, каналированного в кремний
233. Решеточный беспорядок, создаваемый в GaAs ионами Cd с энергией 60 кэВ и ионами Zn с энергией 70 кэВ
234. A Technique The The Technique с ионной имплантацией для микроструктур Polysilicon
235. Дефекты, вызванные процессами в германия
236. Химические эффекты ионной бомбарды
237. . 238. Исследования повреждений, вызванных имплантацией кремния ионами высокой энергии
239. ОДНОНАПРАВЛЕННОЕ КАНАЛИРОВАНИЕ И БЛОКИРОВАНИЕ: НОВАЯ МЕТОДИКА ИССЛЕДОВАНИЯ ДЕФЕКТОВ
240. Производство и отжигание расстройства решетки в кремнеоне с помощью ионов бора с 200 кева Имплантированные добавки в кремний
243. Теория распыления. I. Выход распыления аморфных и поликристаллических мишеней
244. Ионная бомбардировка и имплантация
245. Ионная имплантация: новый метод легирования полупроводников – I
246. Температурная зависимость картины напыления с поверхностей Ge [10]
247. Исследования каналирования в решетках алмазного типа
4 48. 00 О механизмах диффузии в твердых телах, бомбардируемых инертным газом. Теория диффузии для дискретных сред, часть V
249. Газовыделение при отжиге бомбардировочного беспорядка* (исследования бомбардировочного беспорядка — I)
250. Исследования ионной имплантации в кремний
251. Имплантация и отжиг примесей группы III и V в кремнии по методу ченнелинга Имплантированный кремний
253. Ионная имплантация в полупроводники
254. Доказательства реакции замещения между ионно-имплантированными легирующими примесями Tl и межузельными атомами Si
255. Влияние каналирования на степень повреждения, связанного с облучением золота тяжелыми ионами + и П + ионов
257. Связь нейтронного и ионного повреждающего отжига в Si и Ge
258. Замещающее легирование при малодозной имплантации ионов Bi и Ti в Si при 25°C
259. температурная зависимость расстройства решетки, создаваемой в ионных имплантации Si на 40 кэВ.
Исследование германия, имплантированного водородом, для переноса слоев
Главная Твердотельные явления Твердотельные явления Vols. 178-179 Исследование германия, имплантированного водородом…
Предварительный просмотр статьи
Резюме:
В работе охарактеризована технология переноса тонкого слоя Ge методом ионно-водородной резки. Были проведены эксперименты для определения подходящих доз имплантации ионов водорода в германий для процесса низкотемпературной ионной резки путем изучения образования блистеров на имплантированных образцах. Рамановское профилирование и профилирование сопротивления растеканию (SRP) использовались для анализа дефектов в германии, вызванных водородными имплантатами. Снятие фаски использовалось для облегчения зондирования за пределами глубины проникновения лазера. Результаты рамановского картирования по площади проекции показывают, что после отжига после имплантации при 400°С некоторые повреждения кристалла остаются, а при 600°С повреждение кристалла устраняется. SRP показывает, что некоторое количество акцепторных состояний водорода (~1Î10 ¹⁶ акцепторы/см ² ) остаются после 600 °C. Считается, что это кластеры точечных дефектов, связанные с вакансиями.
Доступ через ваше учреждение
использованная литература
[1] М. Брюэль, Кремний на технологии материалов изолятора, Электрон. Lett., 31 (1995) 1201-1202.
[2] Х. С. Гэмбл, П.Т. Бейн, Х. Уодсворт, Ю.Х. Лоу, П.В. Рейни, Ф.Х. Радделл, Б.М. Армстронг, Д.У. Макнил и С.Дж.Н. Митчелл, Германий на сапфире, Int, Журнал высокоскоростной электроники и систем, 18, (2008) 805-814.
DOI: 10.1142/s0129156408005783
[3] Х.С. Гэмбл, Б.М. Армстронг, П.Т. Бейн, Ю.Х. Лоу, П.В. Рейни, Ю.В. Лоу, Д.В. Макнил, С.Дж.Н. Митчелл, Дж. Х. Монтгомери и Ф. Х. Радделл, Германий на сапфировых подложках для системы на кристалле, Материаловедение в обработке полупроводников, 11 (2008).
DOI: 10.1016/j.mssp.2008.09.011
[4] Информация на http: /www.